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碳化硅外延片
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产品概述
必发888唯一官网半导体生产100mm/150mm碳化硅外延片，具有极佳的均匀性，外延厚度最高可达250um。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅材料外延解决方案。
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碳化硅外延片
碳化硅外延工艺是半导体产业中的关键技术，以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片主要用于各种分立器件的制作，如肖特基二极管、MOSFET、JEET、BJT、IGBT、晶闸管等。这些器件广泛应用于光伏逆变器、混合电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等系统领域。
技术参数
*100mm/150mm SiC Epi Wafer
|
序号 |
规格/参数 |
4H外延 |
6H外延 |
|
01 |
厚度(um) |
11 |
～11 |
|
02 |
厚度范围 |
≤7% |
≤8% |
|
03 |
摻杂类型 |
N型或半绝缘型 |
N型或半绝缘型 |
|
04 |
掺杂水平(/cm3) |
6E15～8E15 |
6E15～8E15 |
|
05 |
掺杂范围 |
≤13% |
≤13% |
|
06 |
缺陷密度(/cm3) |
≤1.3 |
≤1.3 |
|
07 |
BPD 密度（/cm2) |
≤0.1 |
≤0.1 |
|
08 |
表面粗糙度(nm) |
Ra≤0.3 |
Ra≤0.3 |
*还有其他尺寸(如直径76.2mm、125mm)可供选择，也可根据客户要求定制
关键词：
碳化硅外延片
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