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碳化硅晶锭

产品概述

必发888唯一官网半导体采用PVT法生长的碳化硅晶锭,增加了对原料进行预处理工艺技术,提高了原料的纯度和密度,减少了晶锭中可能出现的缺陷。
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碳化硅晶锭


碳化硅晶锭经过切割、抛光等工艺,加工成单晶衬底材料,可广泛应用于高温、高压、高频、大功率、光电、抗福射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境,具有不可替代的优势。

 

技术参数

序号

性质

4H晶锭

6H晶锭

01

晶格参数

a=3.076
C=10.053

a=3.073
C=15.117

02

叠层顺序

ABCB

ABCACB

03

微管缺陷密度

3.21

3.21

04

摩氏硬度

~9.2

~9.2

05

热膨胀系数

4-5*10-6

4-5*10-6

06

折射率@750nm

no = 2.61
ne = 2.66

no = 2.60
ne = 2.65

07

介电常数

c~9.66

c~9.66

08

掺杂类型

N型或半绝缘型

N型或半绝缘型

09

热导率(w/cm-k@298k)
(N型,0.02 ohm-cm)

a~4.2
c~3.7

 

10

热导率(w/cm-k@298k)
(半绝缘型)

a~4.9
c~3.9

a~4.6
c~3.2

11

带隙

3.23

3.02

12

分解电场

3-5*106

3-5*106

13

饱和漂移速度

2.0*105

2.0*105

*还有其他尺寸(2、3英寸,厚度5-10mm或10-15mm)可供选择,也可根据客户要求定制 

关键词:

碳化硅晶锭

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